شرکت پیشرو جهان در فناوری نیمه هادی یعنی سامسونگ الکترونیک، امروز اعلام کرد که تولید اولیه فرآیند 3 نانومتری (nm) خود را با استفاده از معماری ترانزیستور Gate-All-Around) GAA) آغاز کرده است. در مقایسه با 5 نانومتر، تراشه‌های نسل اول 3 نانومتری سامسونگ می‌توانند تا 23 درصد عملکرد بهتر، تا 45 درصد کاهش مصرف انرژی و 16 درصد کاهش اندازه را ارائه دهند. نود 3 نانومتری نسل دوم سامسونگ حتی چشمگیرتر خواهد بود – در مقایسه با 5 نانومتری، سامسونگ ادعا می کند که 50 درصد کاهش در مصرف انرژی، تا 30 درصد بهبود عملکرد و 35 درصد کاهش مساحت خواهد داشت. طبق گفته های سامسونگ فناوری اختصاصی سامسونگ از نانوصفحات با کانال‌های گسترده‌تر استفاده می‌کند که در مقایسه با فناوری‌های GAA با استفاده از نانوسیم‌ها با کانال‌های باریک‌تر، عملکرد بالاتر و بازده انرژی بیشتری را ممکن می‌سازد.
سامسونگ اکنون از TSMC جلوتر زده است، شرکت TSMC انتظار می رود تولید انبوه تراشه های 3 نانومتری را در نیمه دوم سال آغاز کند. طراحی ترانزیستور GAA به تولید کننده اجازه می دهد بدون اینکه به توانایی آنها در حمل جریان آسیبی وارد شود، کوچکتر کند. طراحی GAAFET مورد استفاده در نود 3 نانومتری از نوع MBCFET است که در تصویر بالا نشان داده شده است. سامسونگ از اولین ها در زمینه تولید تراشه های 3 نانومتری می باشد.
