تراشه سامسونگ

شرکت پیشرو جهان در فناوری نیمه هادی یعنی سامسونگ الکترونیک، امروز اعلام کرد که تولید اولیه فرآیند 3 نانومتری (nm) خود را با استفاده از معماری ترانزیستور Gate-All-Around) GAA) آغاز کرده است. در مقایسه با 5 نانومتر، تراشه‌های نسل اول 3 نانومتری سامسونگ می‌توانند تا 23 درصد عملکرد بهتر، تا 45 درصد کاهش مصرف انرژی و 16 درصد کاهش اندازه را ارائه دهند. نود 3...